|
高速硅光电探测器
特点：
高速率
低暗电流
平面正照结构,进口芯片
应用：
测距
物理化学过程的快速光信号探测
用于主波取录、YAG 光脉冲测量及光纤通信的光探测
光电特性(T = 22℃)：
|
参 数 |
符号 |
典型值 |
测试条件 |
|
光谱响应范围（nm） |
λ |
400~1100 |
|
|
光敏面直径(um) |
|
Φ230
Φ500 |
|
|
响应度（A/W） |
Re |
60 |
900nm |
|
工作电压（V） |
vR |
120 |
f=1MHz, |
|
击穿电压（V） |
vBR |
140 |
Ir=10uA, |
|
暗电流（nA） |
ID |
5 |
|
|
总电容（pF） |
Cj |
0.8 |
f=1MHz |
|
响应时间（ns） |
tr |
0.7 |
|
note:图片仅供参考,尺寸以实物为准,具体性能指标见每支器件参数
|
